Wie heißt das Phänomen, dass durch das starke elektrische Feld im Überlappungsbereich von Gate und Drain ein Band-zu-Band-Tunnelstrom fließt und der Leckstrom im Aus-Zustand zunimmt?

Antwort: C. GIDL (Gate-Induced Drain Leakage)

Liegt auch bei sperrendem Transistor eine große Spannung zwischen Gate und Drain an, krümmen sich die Bänder nahe dem Gate-Rand des Drains stark, und durch den Band-zu-Band-Tunneleffekt fließt Strom. Das ist GIDL; kennzeichnend ist, dass er bei negativerer Gate-Spannung zunimmt. Er wird bei Bauelementen problematisch, bei denen der Leckstrom extrem klein sein soll, etwa bei Zelltransistoren von DRAM, und durch Entwurf von Dotierung und elektrischem Feld am Drain-Rand unterdrückt. DIBL ist die Absenkung der Schwelle durch die Drain-Spannung, NBTI die Degradation von pMOS.