이온 주입
같은 가속 에너지로 실리콘에 주입했을 때, 비소(질량수 75)와 인(질량수 31)의 비정 관계로 올바른 것은 무엇인가?
- A비소 쪽이 깊이 들어간다
- B둘 다 같은 깊이에 들어간다
- C무거운 비소 쪽이 얕게 멈춘다
정답과 해설 보기
정답: C. 무거운 비소 쪽이 얕게 멈춘다
같은 에너지라면 무거운 이온일수록 1회 충돌로 잃는 에너지가 크고 속도도 느리기 때문에 얕은 위치에서 멈춥니다. 예를 들어 50 keV에서 인(질량 31)의 Rp는 약 60 nm인 데 비해 비소(질량 75)는 약 30 nm입니다. 비소는 비정이 짧고 분포도 날카로우며 확산도 느리기 때문에 nMOS의 얕은 소스·드레인에 적합합니다. 인은 깊은 웰이나, 고에너지를 쓰지 않고 깊게 하고 싶은 층에 사용됩니다.
- A. 무거운 비소 쪽이 얕게 멈춥니다.
- B. 질량이 다르므로 비정도 다릅니다.
- C. 올바릅니다. 무거운 이온일수록 얕게 멈춥니다.