Moderne Transistoren (FinFET, GAA)

Welche Kombination aus Unternehmen und Generation, die als weltweit erste die Serienfertigung von GAA-(Nanosheet-)Transistoren ankündigte, ist richtig?

  1. AIntel, 45-nm-Generation
  2. BSamsung, 3-nm-Generation (2022)
  3. CTSMC, 28-nm-Generation
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Antwort: B. Samsung, 3-nm-Generation (2022)

Samsung gab 2022 den Start der Serienfertigung von GAA-Transistoren (bei Samsung MBCFET genannt) in der 3-nm-Generation bekannt. TSMC setzt GAA in der 2-nm-Generation (N2), Intel in der 18A-Generation (RibbonFET) ein, und die Serienfertigung läuft ab etwa 2025 richtig an. Bei GAA sind die Flexibilität variabler Nanosheet-Breiten und die Kombination mit neuen Techniken wie Stromversorgung von der Rückseite der Schlüssel zur Leistungssteigerung.

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Weitere Fragen zu Moderne Transistoren (FinFET, GAA)

  1. Was ist das richtige Hauptziel der Miniaturisierung von Transistoren?
  2. Was ist mit dem „Nanosheet“ beim Nanosheet-GAA-Transistor gemeint?
  3. Wofür steht das k im „High-k-Gate-Isolator“?
  4. Welcher Wert kommt der effektiven Kanalbreite (Umfangslänge, die das Gate umschließt) pro Finne eines FinFET mit 50 nm Finnenhöhe und 6 nm Breite am nächsten?
  5. Was wird im Allgemeinen von der Finnenbreite verlangt, um Kurzkanaleffekte beim FinFET ausreichend zu unterdrücken?

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