Epitaxie

Welche Wachstumsart, die auch zur Herstellung von Quantenpunkten genutzt wird, wächst bei Gitterfehlanpassung die ersten Atomlagen lagenweise und geht bei Ansammlung von Verspannung zu inselförmigem Wachstum über?

  1. AFrank-van-der-Merwe-Typ
  2. BVolmer-Weber-Typ
  3. CStranski-Krastanov-Typ
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: C. Stranski-Krastanov-Typ

Beim Stranski-Krastanov-Typ (SK) wächst zunächst eine dünne Benetzungsschicht von 1 bis 2 Atomlagen lagenweise; wird die Verspannungsenergie groß, ist es günstiger, trotz größerer Oberfläche Inseln zu bilden und die Verspannung abzubauen, und das Wachstum wechselt zum inselförmigen. Da sich Inseln von einigen zehn nm Durchmesser selbstorganisiert und gleichmäßig bilden, lassen sie sich als Quantenpunkte nutzen; Quantenpunktlaser auf InAs/GaAs-Basis sind als temperaturstabile Lichtquellen für die optische Kommunikation praxistauglich geworden.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Epitaxie

  1. Wie heißt das Phänomen, dass beim epitaktischen Wachstum von Silizium auf einem Substrat mit Strukturen wie einer Buried Layer die Lage der an der Oberfläche erscheinenden Stufen gegenüber der darunterliegenden Struktur verschoben oder die Form verzerrt wird?
  2. Was ist der Hauptzweck des epitaktischen Einbettens von Si:C (Silizium mit etwas Kohlenstoff) in Source und Drain von nMOS?
  3. Welche sich im Forschungsstadium befindliche Technik lässt Kristalle auf einem mit einem zweidimensionalen Material wie Graphen bedeckten Substrat wachsen, sodass die gewachsene Schicht abgelöst und das Substrat wiederverwendet werden kann?
  4. Was ist der Hauptzweck der Zugabe von Kohlenstoff oder Eisen zur GaN-Pufferschicht unter dem Kanal in Epistrukturen für GaN-HEMTs?
  5. Wie heißt die Grenze zwischen Bereichen im Kristall, in denen die Anordnung von Ga und As vertauscht ist und die beim Wachstum polarer Verbindungshalbleiter wie GaAs auf unpolaren Siliziumsubstraten leicht entsteht?