Epitaxie

Was ist der Hauptzweck einer hochdotierten Schicht (Buried Layer) unter der Epischicht bei Bipolartransistoren u. Ä.?

  1. ADen Serienwiderstand des Kollektors zu senken
  2. BDie Basis dicker zu machen
  3. CDie Epischicht hochohmig zu machen
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Antwort: A. Den Serienwiderstand des Kollektors zu senken

Bei vertikalen Bipolartransistoren fließt der Kollektorstrom am Boden der Epischicht seitlich zur Kollektorelektrode an der Oberfläche. Wird vor dem epitaktischen Wachstum eine hochdotierte n⁺-Schicht mit Arsen oder Antimon im Substrat gebildet und vergraben, sinkt der Widerstand dieses Pfads, und Sättigungsspannung und Hochfrequenzeigenschaften des Transistors verbessern sich. Es werden schlecht diffundierende Elemente wie Arsen und Antimon verwendet, um das Ausdiffundieren nach oben durch die Wärme beim epitaktischen Wachstum gering zu halten.

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