Epitaxie

Welche Technik wird zur Bildung der Basisschicht eines SiGe-HBT verwendet?

  1. AEpitaktisches Wachstum (die Ge-Konzentration kann in der Tiefe variiert werden)
  2. BCMP
  3. CSputtern
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Antwort: A. Epitaktisches Wachstum (die Ge-Konzentration kann in der Tiefe variiert werden)

Die Basis eines SiGe-HBT entsteht, indem auf Silizium eine SiGe-Schicht von einigen zehn nm Dicke bei niedriger Temperatur unter Zugabe von Bor epitaktisch aufgewachsen wird. Steigt die Ge-Konzentration von 0 % auf der Emitterseite auf 20 bis 30 % auf der Kollektorseite, entsteht durch die Neigung der Bandlücke ein elektrisches Feld in der Basis, das die Elektronen beschleunigt und die Laufzeit verkürzt. Zusätzlich wird etwas Kohlenstoff zugegeben, um die Bordiffusion zu unterdrücken und die Basis dünn zu halten.

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