에피택셜 성장

SiGe HBT의 베이스층을 형성하는 데 사용되는 기술로 올바른 것은?

  1. A에피택셜 성장(Ge 농도를 깊이 방향으로 변화시키기도 한다)
  2. BCMP
  3. C스퍼터링
정답과 해설 보기

정답: A. 에피택셜 성장(Ge 농도를 깊이 방향으로 변화시키기도 한다)

SiGe HBT의 베이스는 실리콘 위에 두께 수십 nm의 SiGe층을 붕소를 첨가하면서 저온에서 에피택셜 성장시켜 만듭니다. Ge 농도를 에미터 쪽의 0%에서 컬렉터 쪽의 20~30%로 늘려 가면 밴드갭의 기울기에 의해 베이스 안에 전계가 생겨 전자가 가속되고 주행 시간이 짧아집니다. 탄소를 조금 첨가하여 붕소의 확산을 억제하고 얇은 베이스를 유지하는 방법도 사용됩니다.

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