Dans une mémoire à changement de phase (PCM), comment une cellule est-elle placée dans l'état amorphe de forte résistance (reset) ?

Réponse : B. En la chauffant au-dessus du point de fusion par une forte impulsion de courant, puis en la refroidissant rapidement

Lors du reset, une forte impulsion de courant (quelques dizaines à quelques centaines de ns) chauffe le matériau au-dessus de son point de fusion (environ 600 ℃ pour le GST) pour le fondre, puis un refroidissement en quelques ns ne laisse pas aux atomes le temps de s'ordonner, d'où l'état amorphe. À l'inverse, le set maintient le matériau pendant un certain temps au-dessus de la température de cristallisation et en dessous du point de fusion pour le cristalliser. Le fort courant de reset pose un problème de consommation pour la PCM, réduit par des structures limitant le volume chauffé.