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DRAM

Quelle description de la réparation par redondance utilisée pour améliorer le rendement des DRAM est correcte ?

  1. ALes rangées ou colonnes contenant des cellules défectueuses sont remplacées par des rangées ou colonnes de réserve prévues à l'avance
  2. BToute puce contenant une cellule défectueuse est mise au rebut
  3. CLa tension d'alimentation est augmentée pour faire fonctionner les cellules défectueuses
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Réponse : A. Les rangées ou colonnes contenant des cellules défectueuses sont remplacées par des rangées ou colonnes de réserve prévues à l'avance

Il est rare de fabriquer plusieurs milliards de cellules sans aucun défaut ; les DRAM comportent donc des rangées et colonnes de réserve. Les adresses défectueuses détectées au test sur plaquette sont enregistrées dans des fusibles coupés au laser ou des antifusibles programmés électriquement, et les accès sont réaffectés aux réserves. Il existe aussi des mécanismes de réparation après mise en boîtier (PPR). Sans cette réparation par redondance, le rendement des DRAM de grande capacité serait intenable.

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