DRAM

DRAM의 수율을 높이기 위해 사용되는 용장(redundancy) 구제에 대한 설명으로 올바른 것은?

  1. A불량 셀을 포함한 행이나 열을 미리 마련해 둔 예비 행이나 열로 교체한다
  2. B불량 셀을 포함한 칩은 모두 폐기한다
  3. C전원 전압을 높여 불량 셀을 동작시킨다
정답과 해설 보기

정답: A. 불량 셀을 포함한 행이나 열을 미리 마련해 둔 예비 행이나 열로 교체한다

수십억 개의 셀이 하나도 불량 없이 만들어지는 경우는 드물기 때문에, DRAM에는 예비 행과 열이 마련되어 있습니다. 웨이퍼 테스트에서 발견된 불량 위치의 주소를 레이저로 끊는 퓨즈나 전기적으로 기록하는 안티퓨즈에 저장하고, 접근을 예비 쪽으로 바꿔 줍니다. 패키징 후에 구제할 수 있는 구조(PPR)도 있습니다. 이 용장 구제가 없다면 대용량 DRAM의 수율은 성립하지 않습니다.

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