DRAM

Welche Aussage zur Redundanzreparatur, die zur Steigerung der DRAM-Ausbeute eingesetzt wird, ist richtig?

  1. AZeilen oder Spalten mit defekten Zellen werden durch vorab bereitgestellte Ersatzzeilen oder -spalten ersetzt
  2. BAlle Chips mit defekten Zellen werden verworfen
  3. CDie Versorgungsspannung wird erhöht, damit defekte Zellen funktionieren
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Antwort: A. Zeilen oder Spalten mit defekten Zellen werden durch vorab bereitgestellte Ersatzzeilen oder -spalten ersetzt

Dass Milliarden von Zellen ohne eine einzige defekte hergestellt werden, kommt selten vor, daher sind im DRAM Ersatzzeilen und -spalten vorgesehen. Die Adressen der im Wafertest gefundenen Defekte werden in Laser-Fuses oder elektrisch programmierbaren Anti-Fuses gespeichert, und Zugriffe werden auf die Ersatzstrukturen umgeleitet. Es gibt auch einen Mechanismus (PPR), der eine Reparatur nach dem Gehäusen erlaubt. Ohne diese Redundanzreparatur ließe sich die Ausbeute großer DRAMs nicht erreichen.

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