DRAM
關於為提升DRAM良率而使用的冗餘修復，下列說明何者正確？
- A將含有不良單元的列或行，替換為事先備妥的備用列或行
- B將含有不良單元的晶片全部報廢
- C提高電源電壓使不良單元能夠運作
查看答案與解析
正確答案：A. 將含有不良單元的列或行，替換為事先備妥的備用列或行
要製造出數十億個單元卻一個不良都沒有，是極為罕見的，因此DRAM備有備用的列與行。將晶圓測試時發現的不良位置位址，記錄在以雷射熔斷的熔絲（fuse）或以電氣方式寫入的反熔絲（antifuse）中，並把存取改接到備用列或行。也有封裝後仍可修復的機制（PPR）。若沒有這種冗餘修復，大容量DRAM的良率將無法成立。