Verbindungshalbleiter
Welche Aussage zu Galliumoxid (Ga2O3), das als Material für Leistungshalbleiter der nächsten Generation erforscht wird, ist richtig?
- ADie Bandlücke ist kleiner als die von Si
- BEs verhält sich bei Raumtemperatur wie ein Metall
- CEs hat eine noch größere Bandlücke (ca. 4,5 bis 4,9 eV) als SiC und GaN
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Antwort: C. Es hat eine noch größere Bandlücke (ca. 4,5 bis 4,9 eV) als SiC und GaN
Ga2O3 hat mit etwa 4,5 bis 4,9 eV eine größere Bandlücke als SiC und GaN, und die Durchbruchfeldstärke wird auf etwa 8 MV/cm geschätzt; von dem Material werden daher noch höhere Spannungsfestigkeit und geringere Verluste erwartet. Anders als SiC und GaN lassen sich Kristalle aus der Schmelze züchten, sodass Substrate möglicherweise preisgünstig vergrößert werden können; die Entwicklung wird von japanischen Unternehmen und Forschungseinrichtungen angeführt. Probleme sind die schwierige Herstellung von p-leitendem Material und die geringe Wärmeleitfähigkeit.