Siliziumwafer

Welcher Zweck ist richtig für die Nutzung winziger Defekte (BMD), die durch Sauerstoffausscheidung im Inneren von CZ-Wafern entstehen?

  1. AAls Getterstellen zum Einfangen metallischer Verunreinigungen
  2. BDen Wafer zum Leuchten zu bringen
  3. CDie Festigkeit des Wafers zu senken
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Antwort: A. Als Getterstellen zum Einfangen metallischer Verunreinigungen

Der in CZ-Wafern enthaltene Sauerstoff bildet bei Wärmebehandlung im Waferinneren Ausscheidungen (BMD: Bulk Micro Defect). Da die Ausscheidungen samt der umgebenden Verspannungen und Versetzungen metallische Verunreinigungen einfangen, werden sie für das intrinsische Gettern genutzt, das metallische Kontamination vom Bauelementbereich an der Oberfläche fernhält. Die BMD-Dichte wird auf etwa 10⁸ bis 10¹⁰ cm⁻³ gesteuert. Nahe der Oberfläche würden sie jedoch Leckströme verursachen, weshalb an der Oberfläche eine defektfreie Schicht belassen wird.

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