Welches Dicing-Verfahren mit geringer Schnittbreite fokussiert Laserlicht ins Innere des Wafers, erzeugt eine modifizierte Schicht und trennt die Chips durch Dehnen des Tapes?

Antwort: A. Stealth Dicing

Beim Stealth Dicing wird ein durch Silizium transmittierender Infrarotlaser ins Innere des Wafers fokussiert, um eine modifizierte Schicht zu erzeugen, und durch Dehnen des Tapes von dort aus gebrochen. Da die Oberfläche nicht abgetragen wird, entstehen weder Späne noch wird Wasser benötigt, und es gibt kaum Schnittbreite. Daher eignet es sich für gegen Schmutz und Vibration empfindliche MEMS, dünne Wafer und kleine Chips, von denen viele gewonnen werden sollen. Klingen benötigen eine Schnittbreite von einigen zehn µm.