Wie sind die Abmessungen zu ändern, um den Drain-Strom eines MOSFETs zu erhöhen?

Antwort: C. Die Gate-Breite W vergrößern und die Gate-Länge L verkürzen

Der Drain-Strom eines MOSFETs ist in etwa proportional zu W/L (Gate-Breite ÷ Gate-Länge). Eine größere Breite erweitert den Strompfad, und eine kürzere Länge verkürzt die von den Ladungsträgern zurückzulegende Strecke, sodass der Strom zunimmt. Mit größerem W wachsen jedoch Gate-Kapazität und Fläche proportional mit. L wird üblicherweise auf das Minimum der jeweiligen Generation gesetzt, in Analogschaltungen aber zur Verbesserung von Ausgangswiderstand und Streuung länger gewählt. Bei FinFETs wird W durch die Zahl der Finnen bestimmt.