Was ist GIDL (gateinduzierter Drain-Leckstrom, gate-induced drain leakage)?

Leckstrom im Aus-Zustand durch Band-zu-Band-Tunneln im starken Feld, wo das Gate den Drain überlappt. Er ist unter anderem für die Datenhaltung in DRAM ein Problem.

Japanische Bezeichnung: GIDL(ゲート誘起ドレインリーク)

Fachgebiet: MOSFET

Verwandte Begriffe

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