JFET vs. MOSFET: Unterschiede im Überblick
Beides sind Feldeffekttransistoren, bei denen eine Gate-Spannung den Strom zwischen Source und Drain steuert. Beim MOSFET ist das Gate durch eine Oxidschicht isoliert. Beim JFET ist das Gate ein in Sperrrichtung betriebener PN-Übergang, der den Kanal einschnürt. Dadurch ist ein JFET selbstleitend und sehr rauscharm, während das isolierte Gate des MOSFET fast keinen Strom zieht und ihn dadurch viel leichter milliardenfach integrierbar macht.
| Aspekt | JFET | MOSFET |
|---|---|---|
| Gate-Aufbau | Ein PN-Übergang, der in Sperrrichtung bleiben muss | Ein Metall-Gate, vom Kanal durch ein dünnes Oxid getrennt |
| Grundzustand | Selbstleitend (Verarmungstyp): Die Gate-Spannung schnürt den Kanal ab | Meist selbstsperrend (Anreicherungstyp); Verarmungstypen gibt es ebenfalls |
| Gate-Strom | Kleiner Sperrstrom; er steigt stark an, wenn das Gate in Durchlassrichtung betrieben wird | Im stationären Zustand nahezu null, wegen des Isolators |
| Eingangsimpedanz | Hoch | Sehr hoch |
| Rauschen | Rauscharm, besonders bei niedrigen Frequenzen | Höheres niederfrequentes (1/f-)Rauschen |
| ESD-Festigkeit | Besser, da kein dünnes Gate-Oxid durchschlagen kann | Empfindlich: Das Gate-Oxid kann durch elektrostatische Entladung zerstört werden |
| Integration | Selten für hochintegrierte Schaltungen verwendet | Grundlage von CMOS: Milliarden Transistoren pro Chip |
| Typische Einsatzgebiete | Rauscharme Vorverstärker, Eingangsstufen von Operationsverstärkern, Audio- und HF-Frontends, analoge Schalter | Digitallogik, Speicher, Leistungsschalten und die meisten modernen ICs |
Die Zahlenangaben sind typische Größenordnungen und variieren je nach Prozessgeneration und Produkt.