Messtechnik und Analytik

Welche Methode bewertet elektrische Eigenschaften von Oxidschicht und Grenzfläche, indem ohne Elektrodenherstellung per Koronaentladung Ladung auf die Waferoberfläche gebracht und die Änderung des Oberflächenpotenzials gemessen wird?

  1. AVierspitzenmessung
  2. BRöntgenbeugung
  3. CBerührungslose elektrische Bewertung mit Koronaaufladung (COCOS u. Ä.)
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Antwort: C. Berührungslose elektrische Bewertung mit Koronaaufladung (COCOS u. Ä.)

Wird per Koronaentladung eine definierte Ladungsmenge auf die Waferoberfläche aufgebracht und das Oberflächenpotenzial berührungslos mit einer Kelvin-Sonde gemessen, lassen sich ohne Herstellung einer MOS-Struktur Oxiddicke, Ladung im Film, Grenzflächenzustände, Leckeigenschaften usw. bewerten. Da der Prozessschritt für die Gate-Elektrode entfällt und gemessene Wafer unverändert in den nächsten Prozess gehen können, wird die Methode zur Überwachung in der Fertigungslinie genutzt. Mit Vierspitzenmessung oder Röntgenbeugung sind diese elektrischen Eigenschaften nicht erkennbar.

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