BJT vs. MOSFET: Unterschiede erklärt

Ein Bipolartransistor (BJT) wird durch einen Basisstrom gesteuert, ein MOSFET dagegen durch die Spannung an einem isolierten Gate. Dieser eine Unterschied erklärt das meiste Weitere: MOSFETs ziehen praktisch keinen statischen Eingangsstrom und lassen sich zu Milliarden integrieren, weshalb sie Digitalchips dominieren, während BJTs eine hohe Steilheit und geringes Rauschen bieten, was sie in Analog- und HF-Schaltungen nützlich hält.

AspektBJTMOSFET
AnsteuerungStromgesteuert: Der Basisstrom bestimmt den KollektorstromSpannungsgesteuert: Die Gate-Spannung bestimmt den Drainstrom
EingangsstromEin stetiger Basisstrom ist nötig (Kollektorstrom geteilt durch die Verstärkung)Praktisch kein statischer Gate-Strom, aber die Gate-Kapazität muss bei jedem Schaltvorgang geladen und entladen werden
LadungsträgerSowohl Elektronen als auch Löcher sind beteiligt (bipolar)Der Strom wird im Kanal von nur einer Ladungsträgerart getragen (unipolar)
Steilheit (Transkonduktanz)Hoch bei gegebenem Strom (gm = IC / VT, etwa 38 mS bei 1 mA)Niedriger bei gleichem Strom (gm = 2 ID / (VGS - Vth))
SchaltgeschwindigkeitDurch Minoritätsträger-Speicherung gebremst, wenn der Transistor in die Sättigung gefahren wirdSchnell, da es keine Minoritätsträger-Speicherung gibt
DurchlasszustandFeste Sättigungsspannung VCE(sat) von etwa 0,1 bis 0,3 VVerhält sich wie ein Widerstand RDS(on); die Verlustleistung ist I² mal R
TemperaturverhaltenDer Strom steigt mit der Temperatur, was zu thermischem Durchgehen führen kann und das Parallelschalten erschwertDer Durchlasswiderstand steigt mit der Temperatur, der Strom verteilt sich daher und Parallelschalten ist einfach
RauschenGeringeres niederfrequentes (1/f-)RauschenHöheres 1/f-Rauschen
IntegrationGrößer und benötigt Ruhestrom; eingesetzt in Analog-, HF- und Hochgeschwindigkeitsschaltungen (SiGe-HBT, BiCMOS)Klein, in CMOS nahezu null statische Leistung; Grundlage von Mikroprozessoren und Speichern
Typische EinsatzgebieteAnalogverstärker, HF-Schaltungen, Bandgap-Referenzen, einfache diskrete SchalterDigitallogik, Speicher, Leistungsschalter, die meisten modernen ICs

Die Zahlenangaben sind typische Größenordnungen und variieren je nach Prozessgeneration und Produkt.

Wann welches einsetzen

BJT
Wenn Sie hohe Verstärkung pro Stromeinheit, geringes Rauschen oder eine präzise Spannungsreferenz brauchen: analoge Eingangsstufen, Audio- und HF-Verstärker, Bandgap-Referenzen.
MOSFET
Wenn Sie einen Schalter oder sehr viele Bauelemente auf einem Chip brauchen: Digitallogik, Speicher, Stromrichter, Motorantriebe.
IGBT
Der IGBT kombiniert ein MOS-Gate mit einer bipolaren Ausgangsstufe. Er wird bei hohen Spannungen und Strömen eingesetzt, etwa in Motorantrieben und Wechselrichtern.

FAQ

Was ist der Hauptunterschied zwischen BJT und MOSFET?

Ein BJT wird durch einen Basisstrom gesteuert, ein MOSFET durch die Spannung an einem isolierten Gate. Ein MOSFET zieht praktisch keinen statischen Gate-Strom, wodurch er sich leicht in riesiger Stückzahl integrieren lässt.

Warum werden in Digitalchips MOSFETs statt BJTs verwendet?

MOSFETs sind klein und ziehen in CMOS-Schaltungen fast keine statische Leistung. BJTs brauchen Ruhestrom und mehr Fläche, sodass Milliarden davon auf einem Chip überhitzen würden.

Wann ist ein BJT besser als ein MOSFET?

Ein BJT hat bei gleichem Strom eine höhere Steilheit und ein geringeres niederfrequentes Rauschen, daher bleibt er in Analogverstärkern, HF-Schaltungen und Bandgap-Spannungsreferenzen nützlich.

Was ist ein IGBT?

Ein IGBT kombiniert ein MOS-Gate mit einer bipolaren Ausgangsstufe. Er wird für hohe Spannungen und Ströme eingesetzt, etwa in Motorantrieben und Wechselrichtern, wo er geringere Durchlassverluste als ein MOSFET hat.

Wichtige Begriffe erklärt

Leistungs-MOSFET
Ein MOSFET, der für große Ströme und Spannungen ausgelegt ist. Er schaltet schnell und wird in Netzteilschaltungen und Ähnlichem breit eingesetzt.
HBT (Heterostruktur-Bipolartransistor)
Ein Bipolartransistor, der für Emitter und Basis Materialien mit unterschiedlicher Bandlücke nutzt. Es gibt SiGe- und GaAs-basierte Typen, die in Hochfrequenzverstärkern eingesetzt werden.

Weitere Vergleiche