什麼是SOT-MRAM
利用流經重金屬層的電流所產生的自旋軌道力矩使磁化翻轉的 MRAM。寫入與讀出的電流路徑可以分開，高速且耐覆寫。
日文名稱: SOT-MRAM
「SOT-MRAM」出現在1領域的1道練習題中（新世代記憶體等）。
這個名詞所屬的領域: 新世代記憶體
練習SOT-MRAM的題目
關於 SOT-MRAM 的特徵，下列何者正確？
- A照射光線進行寫入
- B以電容的電荷記憶
- C以通過重金屬層的電流所產生的自旋軌道力矩使磁化反轉，並可將寫入與讀取的電流路徑分開
解析中的「SOT-MRAM」
SOT-MRAM 在 MTJ 下方的鎢或鉑等重金屬層通以電流時，藉由自旋霍爾效應產生的自旋軌道力矩，使記錄層的磁化反轉。
關於 SOT-MRAM 的特徵，下列何者正確？
出現「SOT-MRAM」的題目（1題）
相關名詞
磁性穿隧接面(MTJ) 3D XPoint 交叉點型記憶體 記憶體內運算 硫族化合物 電鑄(Forming) 儲存級記憶體 FeFET(鐵電電晶體) FeRAM(鐵電記憶體) MRAM