雙載子電晶體
在主動區工作的矽雙極性電晶體，其基極-射極間電壓VBE的參考值，下列何者正確？
- A約0.6〜0.7 V
- B約0.1 V
- C約3 V
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正確答案：A. 約0.6〜0.7 V
基極-射極間是矽的PN接面，所以在主動區的電壓約為0.6〜0.7 V，設計時常以 VBE ≈ 0.7 V 計算。精確地說 IC ∝ exp(VBE/VT)，電流變為10倍時VBE約增加60 mV，溫度每上升1 ℃約下降2 mV。利用這個性質，可將VBE本身用於溫度感測器或參考電壓電路（能隙參考電路）。
- A. 正確。矽約為0.6〜0.7 V。
- B. 約0.1 V時，矽的接面幾乎沒有電流流過。
- C. 約3 V作為矽PN接面的順向電壓太大。