在雜質濃度非常高的PN接面中，於低逆向電壓下發生的崩潰，其主要機制為下列何者？

正確答案：B. 由量子力學穿隧效應造成的稽納崩潰

在兩側皆為高濃度的接面中，空乏區非常薄，約在10 nm以下，在強電場下價電帶的電子藉由穿隧效應穿過障壁而移至導電帶。這就是稽納崩潰，大致在5 V以下的低崩潰電壓發生，溫度上升時崩潰電壓會下降（因為能隙縮小）。較高的崩潰電壓則以突崩崩潰為主，其溫度係數相反為正。