PN接面與二極體
關於突崩崩潰的機制，下列何者正確？
- A在高電場下被加速的載子撞擊晶格，產生新的電子電洞對，並連鎖性地增加
- B電子以量子力學方式穿過薄的障壁
- C因溫度上升而使接面熔化
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正確答案：A. 在高電場下被加速的載子撞擊晶格，產生新的電子電洞對，並連鎖性地增加
在突崩崩潰中，被空乏區的強電場加速的載子撞擊原子而產生電子電洞對（衝擊游離），這些載子又被加速而反覆撞擊，使電流急遽增加。矽的臨界電場約為3×10⁵ V/cm，雜質濃度越低、空乏區越寬的接面，在越高的電壓下才會發生。SiC的臨界電場約高10倍，因此能以較薄的漂移層實現相同的耐壓，成為低損耗的功率元件。