雙載子電晶體
基極開路時的集極-射極間崩潰電壓BVCEO，與射極開路時的集極-基極間崩潰電壓BVCBO的關係，下列何者正確？
- ABVCEO與BVCBO永遠相等
- BBVCEO低於BVCBO
- CBVCEO高於BVCBO
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正確答案：B. BVCEO低於BVCBO
基極開路時，集極接面累增崩潰所產生的電洞會累積在基極，發揮與基極電流相同的作用，並被電晶體的放大作用放大。因此只要倍增係數M達到 1 + 1/hFE 左右，電流就會急遽增加，BVCEO ≈ BVCBO/hFE^(1/n)（n約為3〜6），有時只有BVCBO的幾分之一。電路設計時，以較低的BVCEO作為耐壓的參考，並保留餘裕來使用。
- A. 兩個崩潰電壓一般並不相同。
- B. 正確。由於放大作用，BVCEO會低於BVCBO。
- C. 由於電晶體作用，BVCEO反而較低。