SRAM과 플래시 메모리
다치(MLC나 TLC) NAND 플래시에서 서로 이웃한 문턱 전압 상태에 할당하는 비트 배열을 1비트만 다르게 하는 이유로 올바른 것은?
- A소거를 불필요하게 하기 위해
- B이웃한 상태로 잘못 읽더라도 오류가 1비트로 끝나도록 하기 위해
- C쓰기 속도를 2배로 하기 위해
정답과 해설 보기
정답: B. 이웃한 상태로 잘못 읽더라도 오류가 1비트로 끝나도록 하기 위해
다치 셀에서는 문턱 전압 분포가 열화나 간섭으로 퍼져 이웃한 상태와 겹치면서 오독이 일어납니다. 오독은 거의 항상 이웃한 상태와의 사이에서 일어나므로, 이웃한 상태의 비트열이 1비트만 다른 그레이 코드로 할당해 두면 오독하더라도 오류는 1비트뿐이어서 ECC의 부담을 최소로 할 수 있습니다. TLC의 8상태라면 예를 들어 111→110→100→101→001→000→010→011과 같이 배열합니다.
- A. 할당 방법을 바꿔도 소거는 필요합니다.
- B. 올바릅니다. 그레이 코드로 오류를 1비트로 억제합니다.
- C. 비트 할당은 쓰기 속도를 2배로 하는 것이 아닙니다.