SRAM과 플래시 메모리
SRAM 셀에 쓸 때는 비트선의 한쪽을 0 V로 끌어내려 셀의 상태를 반전시킵니다. 이때 액세스 트랜지스터에 요구되는 조건으로 올바른 것은?
- A셀 내의 풀업 트랜지스터(pMOS)보다 충분히 강한 구동력을 가질 것
- B셀 내의 어떤 트랜지스터보다도 약한 구동력을 가질 것
- C항상 꺼진 상태로 있을 것
정답과 해설 보기
정답: A. 셀 내의 풀업 트랜지스터(pMOS)보다 충분히 강한 구동력을 가질 것
쓰기에서는 액세스 트랜지스터를 통해 기억 노드를 0으로 끌어내려, 1을 유지하려는 풀업 pMOS를 이겨야 하므로 액세스 트랜지스터는 pMOS보다 충분히 강하게 설계합니다(풀업 비). 한편 읽기의 안정성을 위해서는 풀다운 nMOS보다 약해야 하며(셀 비), 이 세 가지 구동력의 균형이 SRAM 설계의 핵심입니다.