當pMOS電晶體持續承受負的閘極電壓與高溫時，臨界電壓的絕對值會逐漸增加，這種劣化現象是下列何者？

正確答案：A. NBTI

NBTI（Negative Bias Temperature Instability）是指pMOS承受負的閘極偏壓與高溫，使Si/SiO2界面的Si-H鍵斷裂而增加界面能態，同時絕緣膜中也累積正電荷，導致臨界電壓絕對值變大的劣化。電路的運作速度會以年為單位逐漸變慢，因此設計時要預留劣化量的餘裕。移除應力後有一部分會恢復也是其特徵。