산화와 확산

실리콘의 열산화에서 건식 산화(O2)와 습식 산화(H2O)를 비교한 설명으로 올바른 것은?

  1. A건식 산화가 산화막 성장 속도가 더 빠르다
  2. B습식 산화가 산화막 성장 속도가 더 빠르다
  3. C두 방식의 성장 속도는 같다
정답과 해설 보기

정답: B. 습식 산화가 산화막 성장 속도가 더 빠르다

수증기를 사용하는 습식 산화는 산화제인 H2O의 SiO2 내 용해도가 O2보다 수백 배 높아, 건식 산화보다 성장 속도가 수 배~10배 정도 빠릅니다. 예를 들어 1000 ℃에서 1시간 산화하면 건식은 약 70 nm, 습식은 약 400 nm입니다. 두꺼운 막이 필요한 소자 분리나 마스크에 적합합니다. 건식 산화는 느리지만 치밀하고 계면 준위가 적은 양질의 막을 얻을 수 있고 막 두께도 제어하기 쉬워, 얇은 게이트 산화막에 사용되어 왔습니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

산화와 확산의 다른 문제

  1. 실리콘을 열산화하여 두께 x의 SiO2 막을 만들 때, 소모되는 실리콘의 두께는 대략 얼마입니까?
  2. 실리콘 내 불순물의 확산 계수와 온도의 관계로 올바른 것은?
  3. 미세한 LSI의 소자 분리에 주로 사용되는 방법은?
  4. 열산화로 산화막이 충분히 두꺼워졌을 때, 산화막 두께와 산화 시간의 관계로 올바른 것은?
  5. 실리콘 위의 산화막이 두께에 따라 다양한 색으로 보이는 이유로 올바른 것은?