MOSFET
다른 조건은 바꾸지 않고 게이트 절연막을 두껍게 하면 nMOSFET의 문턱 전압의 크기는 일반적으로 어떻게 되는가?
- A0이 된다
- B커진다
- C작아진다
정답과 해설 보기
정답: B. 커진다
게이트 절연막을 두껍게 하면 Cox가 작아져 같은 공핍층 전하를 지탱하는 데 필요한 게이트 전압이 늘어나므로, 문턱 전압의 크기는 커집니다(Vth = VFB + 2φF + Qd/Cox의 제3항이 증가). 같은 칩 안에서도 코어 회로에는 얇은 막, 1.8 V나 3.3 V의 입출력 회로에는 두꺼운 막의 트랜지스터를 구분해 사용합니다(듀얼 게이트 산화막). 두꺼운 막의 트랜지스터는 내압이 높은 대신 느리고 Vth도 높은 편입니다.
- A. 절연막의 두께만으로 문턱 전압이 0이 되는 일은 없습니다.
- B. 올바릅니다. Cox가 작아지므로 필요한 게이트 전압이 늘어납니다.
- C. 절연막을 얇게 하면 문턱 전압은 작아지는 방향입니다.