多晶矽閘極的乾式蝕刻常使用的氣體是下列何者？

正確答案：C. 氯氣（Cl2）或溴化氫（HBr）等鹵素系氣體

多晶矽的蝕刻常使用氯或溴化氫等鹵素系氣體。它們與矽反應成為揮發性的SiCl4或SiBr4，而與氧化層幾乎不反應，因此對底層薄薄的閘極氧化層可取得100以上的高選擇比。HBr也具有容易在側壁形成保護膜、容易獲得垂直形狀的優點。再加入少量氧氣，以調整保護膜的量。