LSI設計流程與EDA
在標準單元的配置中,為了填補單元之間的空隙、固定井的電位、抑制電源雜訊而放置的不具功能(或屬輔助性質)之單元組合,下列何者正確?
- ASRAM・DRAM・快閃記憶體
- B填充單元(filler cell)・接觸單元(tap cell)・去耦電容單元
- C正反器・加法器・乘法器
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正確答案:B. 填充單元(filler cell)・接觸單元(tap cell)・去耦電容單元
填充單元填補單元列的空隙,以維持井與電源的連通;接觸單元固定井與基板的電位以防止閂鎖效應(latch-up);去耦電容單元則以電源與接地之間的電容抑制電源雜訊。三者都不具邏輯功能,是佈局上所需的單元。把接觸單元獨立出來,可以讓邏輯單元本身更小。記憶體與運算器是具備功能的電路。
- A. 這些是記憶體的種類。
- B. 正確。這些是不具邏輯功能的輔助單元。
- C. 這些是具有邏輯功能的單元或電路。