DRAM

在DDR系列的DRAM中,將用來抑制訊號反射的終端電阻設置在DRAM晶片內部,並可控制其開關的功能是哪一個?

  1. A自我更新
  2. BODT(晶片內建終端,On-Die Termination)
  3. CECC
查看答案與解析

正確答案:B. ODT(晶片內建終端,On-Die Termination)

在高速訊號中,若佈線末端的阻抗不匹配就會產生反射,使波形紊亂。ODT是將終端電阻設置在DRAM晶片內部,並可依寫入或讀取的情況切換開關與電阻值的功能。它在減少基板上終端零件的同時,即使多個模組或rank共用同一條匯流排,也能獲得良好的訊號品質,自DDR2起導入。

  • A. 自我更新是待機時DRAM自行更新的功能。
  • B. 正確。是晶片內建的終端電阻。
  • C. ECC是更正錯誤的功能,與終端無關。
練習這個領域 前往領域頁面

DRAM的其他題目

  1. 在DRAM的單元中,有些單元的資料保持時間會隨時間不規則地反覆變長或變短,這種現象稱為什麼?
  2. 驅動DRAM字元線的電壓使用高於電源電壓的升壓電壓(VPP),其主要理由是下列何者?
  3. 下列何者是一般DRAM的1位元記憶單元的正確結構?
  4. DRAM需要定期執行更新(refresh)動作的原因,下列何者正確?
  5. 關於DRAM讀取動作的特徵,下列何者正確?

這個領域的比較