化合物半導体

ヘテロ接合のバンドの並び方で、「タイプI」の説明として正しいものはどれか。

  1. Aバンドギャップの小さい材料の伝導帯の下端と価電子帯の上端が、どちらも大きい材料のバンドギャップの内側に入る
  2. B2つの材料のバンドギャップが重ならない
  3. C2つの材料の伝導帯と価電子帯がずれて互い違いになる
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正解:A. バンドギャップの小さい材料の伝導帯の下端と価電子帯の上端が、どちらも大きい材料のバンドギャップの内側に入る

タイプIの並び方では、小さいバンドギャップの材料のバンドが、大きいバンドギャップの材料のバンドの内側に収まるため、電子と正孔の両方が小さいバンドギャップの層に閉じ込められます。LEDやレーザーの量子井戸で、効率よく再結合させるのに使われます。互い違いになるのはタイプIIです。

  • A. 正しい。電子と正孔の両方が同じ層に閉じ込められます。
  • B. 完全に重ならない並び方はタイプIIIと呼ばれます。
  • C. 互い違いになるのはタイプIIです。
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