先進技術（3D構裝與小晶片）
長期用於智慧型手機記憶體等，將多個晶片稍微錯開堆疊，並各自以打線接合連接到基板的堆疊方式是下列何者？
- A以TSV堆疊
- B以混合接合堆疊
- C以打線接合連接的晶片堆疊（堆疊式MCP）
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正確答案：C. 以打線接合連接的晶片堆疊（堆疊式MCP）
堆疊式MCP是將薄化後的晶片錯開成階梯狀，或夾入間隔片（spacer）堆疊，再從各晶片邊緣的電極以金屬細線連接到基板。由於不需要TSV這類特殊加工，可低成本製作，廣泛用於堆疊NAND快閃記憶體或DRAM的記憶體產品，NAND甚至會堆疊16片以上。不過配線較長且條數有限，因此需要超高頻寬的用途會使用TSV或混合接合。
- A. TSV是以貫穿矽的電極上下連接的方式。
- B. 混合接合是將電極之間直接接合的方式。
- C. 正確。這是以打線接合連接各晶片的方式。