인핸스먼트형과 디플리션형 MOSFET의 차이: 문턱 전압·기호·용도 비교
인핸스먼트형은 게이트 전압이 0 V일 때는 채널이 없고, 게이트에 전압을 걸어 반전층을 만들어야 비로소 전류가 흐르는 MOSFET입니다(노멀리 오프). 디플리션형은 미리 채널이 만들어져 있어 게이트가 0 V여도 전류가 흐르며, 게이트에 반대 방향의 전압을 걸어 채널을 없애면 전류가 멈춥니다(노멀리 온). n채널에서는 문턱 전압이 인핸스먼트형은 양, 디플리션형은 음이 됩니다. CMOS 논리 회로를 비롯해 대부분의 용도에서는 인핸스먼트형이 사용됩니다.
| 비교 항목 | 인핸스먼트형 | 디플리션형 |
|---|---|---|
| 게이트가 0 V일 때 | 채널이 없어 오프(노멀리 오프) | 채널이 있어 온(노멀리 온) |
| 문턱 전압의 부호(n채널) | 양 | 음 |
| 문턱 전압의 부호(p채널) | 음 | 양 |
| 채널 형성 방식 | 게이트 전압으로 기판 표면에 반전층을 유도함 | 이온 주입 등으로 미리 표면에 얇은 채널층을 만들어 둠 |
| 전류 차단 방법(n채널) | 게이트 전압을 문턱값보다 낮춤(0 V로 하면 됨) | 게이트에 음의 전압을 걸어 채널을 공핍시킴 |
| 이름의 유래 | 게이트 전압으로 채널을 늘림(enhance) | 게이트 전압으로 채널을 줄임(deplete) |
| 회로 기호 | 채널 선이 3개로 끊어진 파선 | 채널 선이 1개의 실선 |
| 구동 회로가 멈췄을 때 | 오프가 되므로 안전 | 온이 될 수 있으므로 단락 등에 주의가 필요 |
| 주요 용도 | CMOS 논리 회로, 파워 MOSFET, 아날로그 회로 등 대부분의 용도 | 초기 NMOS 논리의 부하 소자, 정전류원, 전원 기동 회로 등 |
수치는 대략적인 자릿수 기준이며, 공정 세대와 제품에 따라 달라져요.