SRAM과 플래시 메모리

NAND 플래시에서 조금씩 전압을 올린 쓰기 펄스를 반복하며, 그때마다 문턱 전압을 확인하면서 쓰는 방식은?

  1. AECC
  2. BISPP(증분 스텝 펄스 프로그래밍)
  3. CTRIM
정답과 해설 보기

정답: B. ISPP(증분 스텝 펄스 프로그래밍)

ISPP에서는 예를 들어 15 V 정도에서 시작하여 수백 mV씩 전압을 올리며 쓰기 펄스를 주고, 매번 문턱 전압을 확인(베리파이)합니다. 목표에 도달한 셀은 비트선의 전위를 올려 쓰기를 멈추기 때문에, 편차가 있는 셀이라도 문턱 전압의 분포를 좁게 맞출 수 있습니다. 스텝을 작게 할수록 분포는 좁아지지만 시간이 걸리므로, 다치화와 속도 사이에 트레이드오프가 있습니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

SRAM과 플래시 메모리의 다른 문제

  1. OS가 삭제한 파일의 영역을 SSD에 알려 가비지 컬렉션을 효율화하기 위한 명령은?
  2. 마이컴의 프로그램을 저장하기 위해 로직 회로와 같은 칩에 혼재되어 온 비휘발성 메모리는?
  3. SLC, MLC, TLC를 재기록 가능 횟수가 많은 순서로 나열한 것은?
  4. 플래시 메모리의 성질로 올바른 것은?
  5. USB 메모리나 SD 카드에 주로 사용되는 메모리는?

이 분야의 비교