차세대 메모리

MRAM의 기억 소자(MTJ)는 로직 LSI의 어느 공정에서 만들어 넣는 것이 일반적입니까?

  1. A배선 공정(BEOL)의 배선층 사이
  2. B실리콘 웨이퍼를 제조할 때
  3. C패키지로 조립한 후
정답과 해설 보기

정답: A. 배선 공정(BEOL)의 배선층 사이

MTJ는 트랜지스터를 모두 만든 뒤의 배선 공정(BEOL)에서 배선층 사이에 형성됩니다. 트랜지스터 공정을 바꾸지 않고 혼재할 수 있으며, 같은 MTJ 기술을 세대를 넘어 재사용하기 쉽다는 장점이 있습니다. 다만 배선 공정의 열처리(약 400 ℃)를 견디는 MTJ 재료가 필요하며, 자성막 가공에서는 금속의 재부착을 막기 위해 이온빔 식각 같은 특수한 기술이 사용됩니다.

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