DRAM-geheugencel die één bit opslaat met één transistor en één condensator. De aan- of afwezigheid van lading op de condensator staat voor 0 en 1.
Japanse benaming: 1T1Cセル
“1T1C-cel” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. DRAM.
Vakgebied: DRAM
Antwoord: B. De cel is klein en de kosten per bit zijn laag, maar refresh is nodig
DRAM heeft een kleine 1T1C-cel (circa 6F²) en kan circa 20 keer dichter worden gepakt dan 6T-SRAM (circa 120 tot 150F²), zodat de kosten per bit laag zijn. Daar staat tegenover dat refresh nodig is en dat toegang door rijactivering en dergelijke enkele tientallen ns duurt, trager dan SRAM (circa 1 ns). Daarom wordt DRAM voor het hoofdgeheugen en SRAM voor de CPU-cache gebruikt, en ontstaat een geheugenhiërarchie die de voordelen van beide combineert.
DRAM heeft een kleine 1T1C-cel (circa 6F²) en kan circa 20 keer dichter worden gepakt dan 6T-SRAM (circa 120 tot 150F²), zodat de kosten per bit laag zijn.
Welke eigenschap van DRAM ten opzichte van SRAM is juist?Refresh Bank Bitlijn CAS-latency DDR SDRAM DIMM ECC (foutcorrigerende code) Leesversterker (sense amplifier) LPDDR Memory wall