チャネル長変調란?
ちゃねるちょうへんちょう
飽和領域のMOSFETで、ドレイン電圧を上げるとピンチオフ点がソース側へ移り、実効的なチャネル長が短くなってドレイン電流がわずかに増える現象。出力抵抗を有限にする。
일본어 명칭: チャネル長変調
분야: MOSFET
ちゃねるちょうへんちょう
飽和領域のMOSFETで、ドレイン電圧を上げるとピンチオフ点がソース側へ移り、実効的なチャネル長が短くなってドレイン電流がわずかに増える現象。出力抵抗を有限にする。
일본어 명칭: チャネル長変調
분야: MOSFET
貫通電流 基板バイアス効果 短チャネル効果 反転層 相互コンダクタンス 速度飽和 CMOS DIBL GIDL(ゲート誘起ドレインリーク) LDD構造