Was ist Kanallängenmodulation (channel-length modulation)?

Bei einem gesättigten MOSFET verschiebt eine höhere Drainspannung den Abschnürpunkt zur Source, verkürzt den effektiven Kanal und erhöht den Drainstrom leicht. Dadurch wird der Ausgangswiderstand endlich.

Japanische Bezeichnung: チャネル長変調

Fachgebiet: MOSFET

Verwandte Begriffe

CMOS DIBL Einsatzspannung (Schwellenspannung) Flachbandspannung (flat-band voltage) Geschwindigkeitssättigung (velocity saturation) GIDL (gateinduzierter Drain-Leckstrom, gate-induced drain leakage) Inversionsschicht Kurzkanaleffekt LDD-Struktur (LDD structure) Punch-Through

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