Wie verändert sich die Beweglichkeit der Ladungsträger im Allgemeinen, wenn die Dotierung von Silizium erhöht wird?

Antwort: B. Sie wird kleiner

Bei höherer Dotierung nimmt die Coulomb-Streuung an ionisierten Störstellen (Streuung an ionisierten Störstellen) zu, und die Beweglichkeit sinkt. Bei Elektronen in Silizium fällt sie von etwa 1350 cm²/V·s bei 10¹⁵ cm⁻³ auf etwa 100 cm²/V·s bei 10¹⁹ cm⁻³. Der spezifische Widerstand sinkt dabei weniger stark, als es dem Konzentrationsanstieg entspräche. Das ist einer der Gründe, den Kanal von MOSFETs niedrig dotiert zu halten, und FinFET und GAA können niedrig dotierte Kanäle verwenden.