Nederlands
Menu

Halfgeleiderfysica

Welke waarde ligt het dichtst bij de elektronenmobiliteit van zuiver silicium bij kamertemperatuur?

  1. Aca. 14 cm²/(V·s)
  2. Bca. 140.000 cm²/(V·s)
  3. Cca. 1.400 cm²/(V·s)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. ca. 1.400 cm²/(V·s)

De mobiliteit van laag gedoteerd silicium bij kamertemperatuur is ca. 1.400 cm²/(V·s) voor elektronen en ca. 450 cm²/(V·s) voor gaten. In het kanaal van een MOSFET wordt dit echter door verstrooiing aan oppervlakteruwheid en grensvlaklading ongeveer gehalveerd of minder. Elektronen in GaAs hebben ca. 8.500 en in InSb ca. 77.000 cm²/(V·s); er zijn dus verbindingshalfgeleiders die aanzienlijk sneller zijn en voor hoogfrequente toepassingen worden gebruikt. Bij meer dotering neemt de mobiliteit bij elk materiaal af.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Halfgeleiderfysica

  1. Wat is de juiste reden dat bij een halfgeleider met indirecte overgang zoals silicium de kans klein is dat elektron en gat recombineren onder uitzending van licht?
  2. Hoe heet het niveau dat wordt ingevoerd om de elektronendichtheid en de gatendichtheid elk afzonderlijk weer te geven in een halfgeleider die door belichting of stroominjectie uit thermisch evenwicht is?
  3. Welke waarde ligt het dichtst bij de roosterconstante van een siliciumkristal?
  4. Wat is de juiste reden dat het intrinsieke Fermi-niveau van silicium licht afwijkt van het exacte midden van de bandkloof?
  5. Welke waarde ligt het dichtst bij de bandkloof van silicium (Si) bij kamertemperatuur?