MOSFET
Welches Verhältnis besteht im Allgemeinen zwischen der Gate-Länge (Länge der Gate-Elektrode auf der Maske oder nach der Bearbeitung) und der effektiven Kanallänge eines MOSFETs?
- ADie effektive Kanallänge ist um die laterale Ausdehnung von Source und Drain unter das Gate kürzer als die Gate-Länge
- BDie effektive Kanallänge ist stets länger als die Gate-Länge
- CEffektive Kanallänge und Gate-Länge sind immer exakt gleich
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Antwort: A. Die effektive Kanallänge ist um die laterale Ausdehnung von Source und Drain unter das Gate kürzer als die Gate-Länge
Dotierstoffe von Source und Drain breiten sich durch Implantation und Wärmebehandlung seitlich geringfügig bis unter die Gate-Elektrode aus; die effektive Kanallänge ist daher um den Überlapp auf beiden Seiten kürzer als die Gate-Länge. Der Überlappbereich bildet die Überlappkapazität zwischen Gate und Source/Drain und erhöht über den Miller-Effekt die Verzögerung. In modernen Generationen wird die Wärmebehandlung extrem kurz gehalten (Millisekunden-Ausheilen), um die Ausbreitung zu unterdrücken. Generationsnamen wie „3 nm“ entsprechen nicht der tatsächlichen Gate-Länge.