Interconnectprocessen

Welke techniek bestaat erin een film van een legering van Cu met een kleine hoeveelheid onder meer mangaan af te zetten en door warmtebehandeling vanzelf een dunne barrièrelaag aan het grensvlak met de isolatiefilm te laten vormen?

  1. AZelfvormende barrière (self-forming barrier)
  2. BLOCOS
  3. CIonenimplantatie
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Zelfvormende barrière (self-forming barrier)

Bij gebruik van een seedlaag van een Cu-Mn-legering verplaatst Mn zich bij warmtebehandeling naar het grensvlak en reageert met SiO2 van de isolatiefilm, waardoor vanzelf een barrièrelaag van enkele nm of dunner, zoals MnSiOx, ontstaat. Omdat Mn zich aan het grensvlak verzamelt, nemen ook onzuiverheden in het resterende Cu af. Doordat een dik apart barrièremetaal minder nodig is, kan het aandeel van Cu met lage weerstand in smalle bedrading en vias toenemen; het is een van de technieken waarvan de ontwikkeling door Japanse onderzoeksgroepen werd geleid.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Interconnectprocessen

  1. Welke eigenschap van bedrading verdient naast weerstand en capaciteit aandacht bij lange, dikke bedrading zoals klokbedrading in chips die op enkele GHz werken?
  2. Wat is de belangrijkste reden waarom het bedradingsmateriaal van geavanceerde LSI's van aluminium (Al) door koper (Cu) is vervangen?
  3. Welke omschrijving van het damascene-proces, dat algemeen wordt gebruikt voor het vormen van Cu-bedrading, is juist?
  4. Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van Low-k-materiaal (lage diëlektrische constante) voor de tussenlaagisolatiefilm?
  5. Wat is het belangrijkste doel van een barrièremetaal zoals Ta of TaN bij Cu-bedrading?

Vergelijkingen bij dit onderwerp