Moderne Transistoren (FinFET, GAA)

Welche Aussage zum Leistungsmaß „Ion/Ioff-Verhältnis“ von Transistoren ist richtig?

  1. AVerhältnis von Strom im Ein-Zustand zu Leckstrom im Aus-Zustand; je größer, desto besser als Schalter
  2. BVerhältnis von Gate-Länge zu Gate-Breite
  3. CVerhältnis von Versorgungsspannung zu Schwellspannung
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Antwort: A. Verhältnis von Strom im Ein-Zustand zu Leckstrom im Aus-Zustand; je größer, desto besser als Schalter

Das Ion/Ioff-Verhältnis ist das Verhältnis von Strom im Ein-Zustand zu Leckstrom im Aus-Zustand und liegt bei fortschrittlicher Logik bei etwa 10⁴ bis 10⁶. Je größer es ist, desto besser ist der Schalter: schnell im Betrieb und mit geringem Leckstrom im Standby. Wird die Versorgungsspannung gesenkt, sinkt Ion, wenn die Schwellspannung nicht gesenkt wird, und Ioff steigt, wenn sie gesenkt wird, sodass beides schwer zu vereinen ist. FinFET und GAA mit steilerem Subthreshold-Faktor erzielen bei gleichem Ioff ein größeres Ion.

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