Neue Speichertechnologien

Welches Element aus Chalkogenidmaterial, das oberhalb einer bestimmten Spannung plötzlich leitend wird, dient in Crosspoint-PCM u. Ä. als Selektor in Reihe zum Speicherelement?

  1. AOTS (Ovonic Threshold Switch)
  2. BZenerdiode
  3. CFloating Gate
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: A. OTS (Ovonic Threshold Switch)

Ein OTS (Ovonic Threshold Switch) ist ein Element aus Chalkogenidmaterial, das oberhalb der Schwellenspannung innerhalb weniger ns plötzlich niederohmig wird und beim Absenken des Stroms in den hochohmigen Zustand zurückkehrt. Anders als PCM kristallisiert er nicht und speichert keinen Zustand, sodass er als Selektor taugt. Durch die Nichtlinearität mit kleinem Strom im Aus-Zustand und großem möglichem Strom im Ein-Zustand unterdrückt er Ströme in nicht ausgewählte Zellen und ermöglicht gestapelte Crosspoint-Speicher.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Neue Speichertechnologien

  1. Warum muss bei STT-MRAM die Größe des Lesestroms begrenzt werden?
  2. Welches Element nutzt aus, dass sich die Größe des Tunnelstroms durch eine dünne ferroelektrische Schicht mit der Polarisationsrichtung ändert?
  3. Welcher Effekt, bei dem durch eine Spannung die magnetische Anisotropie der magnetischen Schicht geändert wird, wird als Methode zur Senkung der Schreibenergie von MRAM erforscht?
  4. Welches Speicherprinzip von MRAM ist richtig?
  5. Welches Speicherprinzip des Phasenwechselspeichers (PCM) ist richtig?

Vergleiche zu diesem Thema