차세대 메모리

크로스포인트형 PCM 등에서 기억 소자와 직렬로 두는 셀렉터로 사용되는, 어떤 전압을 넘으면 갑자기 도통하는 칼코게나이드 재료 소자는 무엇입니까?

  1. AOTS(오보닉 문턱 스위치)
  2. B제너 다이오드
  3. C플로팅 게이트
정답과 해설 보기

정답: A. OTS(오보닉 문턱 스위치)

OTS(Ovonic Threshold Switch)는 칼코게나이드 재료로 만든 소자로, 문턱 전압을 넘으면 수 ns 이내에 갑자기 저저항이 되고, 전류를 낮추면 원래의 고저항으로 돌아옵니다. PCM과 달리 결정화되지 않고 상태를 기억하지 않으므로 셀렉터로 사용할 수 있습니다. 오프 시 전류가 작고 온 시 큰 전류를 흘릴 수 있는 비선형성으로 선택하지 않은 셀로의 우회 전류를 억제하여, 크로스포인트형 적층 메모리를 가능하게 했습니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

차세대 메모리의 다른 문제

  1. STT-MRAM에서 읽기 전류의 크기에 제한이 필요한 이유로 올바른 것은 무엇입니까?
  2. 강유전체의 분극 방향에 따라 얇은 강유전체층을 통과하는 터널 전류의 크기가 달라지는 것을 이용하는 소자는 무엇입니까?
  3. MRAM의 쓰기 에너지를 낮추는 방법으로 연구되고 있는, 전압으로 자성층의 자기 이방성을 바꾸는 효과는 무엇입니까?
  4. MRAM의 기억 원리로 올바른 것은 무엇입니까?
  5. 상변화 메모리(PCM)의 기억 원리로 올바른 것은 무엇입니까?

이 분야의 비교