Mémoires émergentes
À quelle étape de fabrication d'un circuit logique LSI l'élément de mémorisation (MTJ) d'une MRAM est-il généralement intégré ?
- AEntre les couches d'interconnexion, lors des étapes d'interconnexion (BEOL)
- BLors de la fabrication de la plaquette de silicium
- CAprès l'assemblage en boîtier
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Réponse : A. Entre les couches d'interconnexion, lors des étapes d'interconnexion (BEOL)
La MTJ est formée entre les couches d'interconnexion, lors des étapes d'interconnexion (BEOL) qui suivent la réalisation des transistors. Elle peut ainsi être intégrée sans modifier les étapes des transistors, et la même technologie MTJ se réutilise facilement d'une génération à l'autre. Il faut toutefois des matériaux MTJ résistant aux traitements thermiques du BEOL (environ 400 ℃), et la gravure des films magnétiques fait appel à des techniques spéciales comme la gravure par faisceau d'ions pour éviter le redépôt de métal.