Mémoires émergentes
Quel est le principe de mémorisation de la mémoire à changement de phase (PCM) ?
- ALa différence d'orientation de l'aimantation d'une couche magnétique
- BLa différence de résistance entre l'état cristallin et l'état amorphe d'un matériau chalcogénure
- CL'orientation de la polarisation d'un ferroélectrique
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Réponse : B. La différence de résistance entre l'état cristallin et l'état amorphe d'un matériau chalcogénure
La PCM chauffe puis refroidit rapidement un matériau chalcogénure tel que le GeSbTe par effet Joule du courant, afin de basculer entre un état cristallin de faible résistance et un état amorphe de forte résistance. L'écart de résistance atteint 2 à 3 ordres de grandeur, ce qui permet aussi de créer des valeurs intermédiaires pour le stockage multiniveau. Le même matériau, dont la réflectivité optique diffère entre les phases cristalline et amorphe, a également été utilisé dans les DVD et Blu-ray réinscriptibles. Le courant d'écriture élevé constitue un problème.